GL300 Cluster DS是功能强大的全自动纳米压印光刻生产线，集成了从纳米压印晶圆预处理工艺，直至纳米压印光刻整套工艺步骤。标配天仁微纳CLIV（Contact Litho into Vacuum）压印技术，可实现最大300mm晶圆面积上高精度（优于10nm*）、高深宽比（优于10:1*）纳米结构复制量产。
设备采用模块化设计，用户可以根据工艺需求和生产节奏自由配置晶圆清洗、涂胶、烘烤、冷却、Plasma表面处理、AOI检测、Post Cure以及纳米压印的模块数量，达到最优生产效率。相较于标准单工位设备，双工位设计可显著提升整机产能。设备支持全自动工作模具复制、工作模具自动更换、晶圆自动预处理、自动对位、自动压印及自动脱模，全部工艺过程均在密闭洁净环境中完成，以保证压印质量。GL300 Cluster DS纳米压印设备广泛应用于DOE、AR/VR衍射光波导(包括斜齿光栅)、AR HUD、线栅偏振片、激光芯片、超透镜、生物芯片、LED、微透镜阵列等应用领域的大规模量产。
经过量产验证的全自动200/300 mm高精度、高深宽比结构纳米压印光刻生产线；
双工位设计，双倍产能；
CLIV技术，确保压印结构精度与结构填充完整性；
Cassette to cassette自动上下片，光学巡边预对位；
设备内自动复制柔性复合工作模具，自动更换工作模具，适合连续生产；
全自动预处理流程，包括晶圆清洗、旋涂匀胶、烘烤、冷却、Plasma表面处理等，可选配Inkjet、狭缝涂布、AOI在线检测、Post Cure等模块；
全自动纳米压印光刻流程，包括自动对位、自动压印、自动曝光固化、自动脱模等；
全部工艺过程在密闭洁净环境中自动进行，以保证压印质量；
标配高功率紫外LED面光源（365 nm，光强>1000 mW/cm2），水冷冷却，特殊功率以及特殊、混合波长光源可定制，完美支持各种商用纳米压印材料，可选配Post Cure功能；
产能可达100片/小时（取决于配置、材料、工艺等因素），适用于DOE、AR/VR衍射光波导(包括斜齿光栅)、AR HUD、线栅偏振片、激光芯片、超透镜、生物芯片、LED、微透镜阵列等应用领域的大规模量产；
随机提供全套纳米压印工艺与材料，包括DOE、AR斜齿光栅、高密度、高深宽比结构等工艺流程，助力客户快速实现低成本、高效率量产。
兼容基底尺寸 |
200mm(Open cassette，SMIF可定制) / 300 mm(FOUP) 特殊尺寸可定制 |
支持基底材料 |
硅片、玻璃、石英、塑料、金属等 |
上下片方式 |
Cassette to cassette全自动上下片 |
晶圆预对位 |
光学巡边预对位 |
纳米压印技术 |
线性顺序接触 CLIV技术，适合高精度、高深宽比纳米结构压印 |
纳米压印预处理工艺步骤 |
清洗（毛刷、二流体、兆声波）、旋涂匀胶、加热烘烤、冷却、Plasma表面处理等，可选配Inkjet、狭缝涂布、AOI在线检测、Post Cure等模块； |
压印精度 |
优于10nm* |
结构深宽比 |
优于10:1* |
残余层控制 |
小于10nm* |
紫外固化光源 |
紫外LED（365nm）面光源，光强>1000mW/cm2，水冷冷却，（2000 mW/cm2类型光源可选配） |
设备内部环境控制 |
标配，外部环境Class 100，内部环境可达Class 10* |
自动压印 |
支持 |
自动脱模 |
支持 |
自动工作模具复制 |
支持 |
自动工作模具更换 |
支持 |
模具基底对位功能 |
自动对位 |
* 参数取决于模具、材料、工艺和使用环境，非设备极限
* 天仁微纳保留对本信息的最终解释权