GL8 HE Gen2是天仁微纳开发的高精度对位紫外压印/热压印结合纳米压印光刻设备，在实现了高精度对位压印功能的同时集成了紫外压印和热压印功能，可以分别进行紫外压印和热压印工艺，也可同步原位实现紫外压印/热压印结合工艺。
该设备可实现最大200mm晶圆和200mm × 200mm方片面积上高精度(优于10nm*)、高深宽比(优于10:1*)的纳米结构复制，X-Y方向对位精度可达≤±1μm。采用均匀气体施压（≤50bar，可定制80bar），保证大面积压印过程中结构完整填充及全幅压印均匀性。该设备支持使用硬模具与软模具压印，设备内可复制工作模具，无需外置工作模具复制设备。工作模具材料选择范围广，具有精度高、寿命高的特点，可显著降低纳米压印工艺过程中模具使用成本。GL8 HE Gen2纳米压印设备适用于DOE、AR/R衍射光波导(包括斜齿光栅)、线栅偏振片、超透镜、生物芯片、LED等应用领域的研发和量产。
高对位精度、大面积、高精度、高深宽比，紫外压印/热压印结合纳米压印设备；
可以实现高对位精度热压印，对位精度优于±1 μm；
兼容紫外压印工艺，也可以同步原位实现紫外压印/热压印结合工艺；
均匀气体施压，压印压力可达50bar（可定制80bar），保证大面积均匀结构填充；
设备内可复制工作模具，降低大面积纳米压印模具使用成本；
自动压印、自动固化、自动脱模，工艺过程无需人工干预；
标配高功率紫外LED光源（365nm，光强>1000mW/cm2），水冷冷却、特殊功率以及特殊、混合波长光源可订制，完美支持各种商用纳米压印材料与制程；
随机提供全套纳米压印工艺与材料以及工艺流程，助力客户快速实现低成本、高效率量产。
兼容基底尺寸 |
≤200mm × 200mm |
兼容模板尺寸 |
≤200mm × 200mm |
对位精度 |
对位精度≤±1μm |
纳米压印技术 |
热纳米压印、紫外纳米压印 |
上下片方式 |
手动上下片 |
压印精度 |
优于10nm* |
结构深宽比 |
优于10:1* |
残余层控制 |
小于10nm* |
压印温度 |
室温至350 ℃，温度设置精度±1 ℃ |
压印压力 |
≤50 bar（可定制80 bar） |
紫外固化光源 |
紫外LED面光源(波长365nm) 曝光面积≥200mm x 200 mm 强度1000mW/cm2(2000mW/cm2类型光源可选配) 曝光均匀性优于90% |
设备内部环境控制 |
标配，外部环境Class 100，内部环境优于Class 10* |
自动压印 |
支持 |
自动复制工作模具 |
支持 |
* 参数取决于模具、材料、工艺和使用环境，非设备极限
* 天仁微纳保留对信息的解释权力