GL310 Cluster Gen2全自动纳米压印光刻生产线集成了从纳米压印晶圆预处理工艺，直至纳米压印光刻整套工艺步骤。标配天仁微纳CLIV(Contact Litho into Vacuum)压印技术，可实现200/300 mm晶圆及300x300mm/310x310 mm方形基底上全自动高精度(优于10 nm*)、高深宽比(优于10:1*)纳米结构复制量产。
设备采用模块化设计，用户可以根据工艺需求和生产节奏自由配置晶圆清洗、涂胶、烘烤、冷却、Plasma表面处理、AOI检测、Post Cure以及纳米压印的模块数量，达到最优的生产效率。设备支持全自动工作模具复制、工作模具自动更换、自动预处理和自动对位、自动压印、自动脱模，全部工艺过程在密闭洁净环境中进行，以保证压印结果质量。GL310 Cluster Gen2纳米压印设备适用于DOE、AR/VR衍射光波导(包括斜齿光栅)、AR HUD、线光栅偏振、超透镜、生物芯片、LED、微透镜阵列等应用领域的大规模量产。
经过量产验证的全自动200/300 mm晶圆及300×300 mm方片、310×310 mm方片高精度、高深宽比结构纳米压印光刻生产线；
CLIV技术，确保压印结构精度与结构填充完整性；
Cassette to cassette自动上下片，光学巡边预对位；
设备内自动复制柔性复合工作模具，自动更换工作模具，适合连续生产；
全自动预处理流程，包括晶圆清洗、旋涂匀胶、烘烤、冷却、Plasma表面处理(选配)等；
全自动纳米压印光刻流程，包括自动对位、自动压印、自动曝光固化、自动脱模等；
全部工艺过程在密闭洁净环境中自动进行，以保证压印质量；
标配高功率紫外LED面光源(365 nm，光强>1000 mW/cm2)，水冷冷却，特殊功率以及特殊、混合波长光源可订制，完美支持各种商用纳米压印材料，可选配Post Cure功能；
适合DOE、AR/VR衍射光波导(包括斜齿光栅)、AR HUD、线光栅偏振、超透镜、生物芯片、LED、微透镜阵列等应用领域的大规模量产；
随机提供全套纳米压印工艺与材料，包括DOE、AR斜齿光栅、高密度高深宽比结构等工艺流程，帮助客户零门槛达到国际领先的纳米压印水平。
兼容基底尺寸 |
200mm（open cassette）/300 mm（FOUP）晶圆 300x300mm/310×310 mm（FOUP）方形基底 |
支持基底材料 |
硅片、玻璃、石英、塑料、金属等 |
上下片方式 |
Cassette to cassette全自动上下片 |
晶圆预对位 |
光学巡边预对位 |
纳米压印技术 |
紫外纳米压印（UV-NIL），CLIV技术， 适合高精度、高深宽比纳米结构压印 |
压印精度 |
优于10 nm* |
结构深宽比 |
优于10 : 1* |
残余层控制 |
可小于10 nm* |
紫外固化光源 |
紫外LED（365 nm）面光源，光强＞1000 mW/cm2（2000 mW/cm2可选），水冷冷却 |
设备内部环境控制 |
标配，外部环境Class 100，内部环境可达Class 10* |
自动压印 |
支持 |
自动脱模 |
支持 |
自动工作模具复制 |
支持 |
自动工作模具更换 |
支持 |
模具基底对位功能 |
自动对位（选配） |
Post Cure |
选配 |
AOI在线检测 |
选配 |
产能 |
可达100片每小时* |