GL8 MLA Gen2是一种专门为晶圆级光学加工（Wafer Level Optics - WLO）工艺开发的全幅紫外纳米压印设备，可在200mm以下晶圆上平行复制生产微纳光学器件。
该设备支持从晶圆级母模具表面自动复制柔性复合工作模具，工作模具具有精度高、寿命长等特点，可以显著降低大面积纳米压印工艺中模具使用成本。内置的高精度自动点胶系统、APC（主动模具基底平行控制）技术、以及自动脱模功能都保证了大面积晶圆级光学器件生产的精度、均匀性（TTV）与良率。同时，自动模具基底对位系统还可实现晶圆之间对位堆叠工艺（Wafer Level Stacking - WLS）。GL8 MLA Gen2纳米压印设备适用于DOE、匀光片（Diffuser）、微透镜阵列、菲涅尔透镜等产品的研发和量产。
经过量产验证的200 mm晶圆级光学生产（WLO）设备；
APC主动模具基底平行控制技术，确保大面积晶圆压印TTV均匀性；
设备内自动复制柔性复合工作模具，降低大面积纳米压印模具使用成本；
内置自动点胶功能；
自动对位、自动压印、自动曝光固化、自动脱模，工艺过程无需人工干预；
标配高功率紫外LED面光源（365nm，光强>1000mW/cm2），水冷冷却，特殊功率以及特殊、混合波长光源可订制，完美支持各种商用纳米压印材料；
标配设备内部洁净环境与除静电装置；
随机提供全套纳米压印工艺与材料，包括标准示范WLO等工艺流程，帮助客户零门槛达到国际领先的纳米压印水平。
| 兼容基底尺寸 | 2inch、100mm、150mm、200mm 特殊尺寸可以定制 |
| 支持基底材料 | 硅片、玻璃、石英、塑料、金属等 |
| 上下片方式 | 单片机械手自动上下 |
| 晶圆预对位 | 光学巡边预对 |
| 纳米压印技术 | 紫外纳米压印（UV-NIL），APC主动平行控制技术，适合大面积WLO、WLS等工艺 |
| 压印精度 | 优于10nm* |
| 结构深宽比 | 优于10:1* |
| TTV控制 | 微米级精度（200mm晶圆） |
| 紫外固化光源 | 紫外LED（365nm）面光源，光强>1000mW/cm2，水冷冷却（2000mW/cm2类型光源可选配） |
| 设备内部环境控制 | 标配，外部环境Class 100，内部环境可达Class 10* |
| 自动压印 | 支持 |
| 自动脱模 | 支持 |
| 自动工作模具复制 | 支持 |
| 模具基底对位功能 | 自动对位（选配） |